Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.72: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Struktur von Si/CaF2 - und Ge/CaF2 -Heterosystemen — •A. Klust1, M. Bierkandt1, C. Deiter1, J. Falta2, M. Grimsehl1, R. Feidenhans’l3, C. Kumpf3, T. Schmidt2, Yixi Su4 und J. Wollschläger1 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover — 2Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen — 3Risø National Laboratory, Denmark — 4II. Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg
Die Lokalisation von Elektronen und/oder Grenzflächeneffekte in Halbleiter-Nanostrukturen führt zu einer optischen Aktivität dieser Nanostrukturen, die sich z.B. in der Photolumineszenz von Si/CaF2-Vielfachschichten äußert.[1] Dabei dient CaF2 als epitaktischer Isolator. Ein Verständnis dieser Effekte erfordert erstens eine kontrollierte Herstellung dieser Strukturen und zweitens die Kenntnis ihrer atomaren Struktur.
Die Struktur der Grenzflächen, des CaF2 -Filmes und der Si- bzw. Ge-Nanostrukturen wurde mit Hilfe von Stehenden Röntgenwellen (XSW) und Oberflächenröntgenbeugung (SXRD) untersucht. Beim Wachstum von Si oder Ge auf CaF2/Si(111) enstehen Inseln. Diese Inseln wachsen in derselben Orientierung wie der CaF2 -Film, der um 180∘ gegenüber dem Si-Substrat verdreht ist. Durch eine Profilanalyse der Röntgenbeugungsreflexe konnte die mittlere Größe und die Gitterkonstante der Halbleiterinseln bestimmt werden. Die Relaxation der Ge-Inseln hängt von der Wachstumstemperatur ab.
[1] F. Bassani et al., J. Appl. Phys. 79 (1996) 4066.