Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.80: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Anisotropie-Effekte an Halbleiteroberflächen — •Thorsten Volkmann — Institut für Theoretische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Es werden Monte-Carlo-Simulationen zu einem zweidimensionalen Gittergas-Modell mit stark anisotropen Wechselwirkungen vorgestellt, welches Anisotropie-Effekte an Metall-terminierten II-VI(001)-Halbleiter- Oberflächen beschreibt. Dabei spielt die Rekonstruktion der Oberflächen eine entscheidende Rolle.

Präsentiert werden Ergebnisse zum c(2×2)-(2×1)-Übergang, zur Gleichgewichtsform (ECS) isolierter rekonstruierter Domänen, sowie zur Diffusion von Adatomen auf rekonstruierten Oberflächen.