Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)
O 13.85: Poster
Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B
Untersuchungen zur Schwellenenergie der Entstehung von F-Zentren auf MgO(100)/Ag(100)- Schichten durch Elektronenbeschuss — •J. Kramer, W. Ernst und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstrasse 2, 30167 Hannover
Mit Hilfe von EELS–Messungen wurde die Bildung von Farbzentren auf dünnen epitaktischen MgO-Schichten auf Ag(100) durch Elektronenbeschuss untersucht. Die Schichtherstellung erfolgte durch das Verdampfen von Mg in einer Sauerstoffatmosphäre. In Abhängigkeit von verschiedenen Parametern wurde die Bildung von F-Zentren untersucht. Der Wirkungsquerschnitt des ESD-Prozesses ist im Vergleich zum NaCl sehr gering. Er beträgt bei einer Schichtdicke von 20 Monolagen und einer Elektronenenergie von 200eV nur 5·10−21cm2. Die Bildung von F-Zentren erfolgt schon ab einer Schichtdicke von zwei Monolagen, jedoch erst ab einer Schwellenenergie der Elektronen von 56eV. Dieser Wert der Schwellenenergie lässt vermuten, dass ein wichtiger Kanal der F-Zentrenerzeugung mit dem Entfernen eines Elektrons aus dem 2p-Niveau des Mg beginnt. Dem schliesst sich ein interatomarer Augerzerfall an, der zur Umladung und Desorption eines Sauerstoffions führt. Weitere Informationen über die Eigenschaften von F-Zentren konnten durch parallel stattfindende XPS-Messungen gewonnen werden.