Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Postersitzung (Adsorption auf Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Elektronische Struktur, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und Grenzfl
ächen, Oxide und Isolatoren)

O 13.88: Poster

Montag, 26. März 2001, 19:00–22:00, Foyer zu B

Oxidation von dünnen epitaktischen Y(0001) Filmen — •Murat Ay¹, Olav Hellwig¹, Hans Werner Becker² und Hartmut Zabel¹ — ¹Experimentalphysik IV, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Deutschland — ²Experimentalphysik III, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Deutschland

Wir untersuchen das Oxidationsverhalten von epitaktischen Y-Filmen an Luft. Die Y(0001)-Schichten werden auf einem Al₂O₃(1120) Substrat mit einer Pufferschicht von Nb(110) in einer MBE-Anlage hergestellt. Aus vorausgehenden Untersuchungen ist das kristalline Wachstum der Y-Schichten bekannt. Vor und nach der Oxidation bei verschiedenen Temperaturen werden die Proben mit XRD, RBS und AFM charakterisiert. Mit Röntgen-Klein und Großwinkelstreuung werden die einzelnen Schichtdicken ermittelt und mit RBS Messungen erhält man ein Tiefenprofil der Oxidschicht, welches Informationen über die Grenzfläche Oxid/Y liefert. AFM Messungen der Oberflächentopographie vervollständigen die Untersuchung. Dabei zeigt sich, daß die Oxidationsfront in Wachstumsrichtung nicht glatt ist. Außerdem entstehen während der Oxidation, je nach Oxidationsgrad, Wasserstoff-Gittergasphasen YH_α und YH_β, die durch die fortschreitende Oxidation verdrängt werden. Nachdem die Oxidation abgeschlossen ist, bleibt im Y₂O₃ ein zur Oberfläche abnehmender Wasserstoffgradient zurück. Gefördert durch DFG: SFB 558 (Metall-Substrat-Wechselwirkung in der heterogenen Katalyse)