Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 16: Elektronische Struktur (II)
O 16.6: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 12:30–12:45, B
Dispersion von Quantentopf-Zuständen in ultradünnen Aluminium-Filmen auf Si(111): Einfluß der Substratbänder — •Lucia Aballe1, Celia Rogero1, Shubha Gokhale2 und Karsten Horn1 — 1Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft — 2Physics Department, University of Pune, India
Die elektronische Eigenschaften von metallischen Quantentopf-Schichten sind bisher hauptsächlich an Edelmetallen untersucht worden, da diese nur geringfügige Reaktion mit dem Substrat zeigen. Hier untersuchen wir die schichtdickenabhängige elektronische Struktur von Aluminium-Filmen auf Si(111) mit winkelauflösender Photoemission. Die Dispersion von Quantentopf-Zuständen, welche nach Aufdampfen bei tiefen Temperaturen beobachtet werden, kann anhand der Bandstruktur des Al erklärt werden kann. Eine erstmals beobachtete energie- und wellenvektorabhängige Veränderung der Spektren, besonders deutlich in einer bildhaften Darstellung der Spektren, wird auf die Phasenverschiebung der Reflexion der Quantentopf-Wellenfunktionen nahe der Bandkanten des Silizium-Substrates zurückgeführt. Dadurch kann die Form der Silizium-Bandkanten in der Oberflächen-Brillouinzone verfolgt werden. Die Bedeutung dieser Beobachtung liegt in der Tatsache, daß hier der Einfluß durch den Grundzustand der Silizium-Bänder erfolgt, sodass kein optischer Übergang zur Bestimmung der Bänder notwendig ist; vielmehr werden die Bloch-Zustände der Al-Schicht zur Untersuchung der Grenzflächen- und Substratstruktur verwendet.