Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 18: Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen
O 18.8: Vortrag
Dienstag, 27. März 2001, 13:00–13:15, M
Simulation von Sublimation und Atomlagenepiaxie rekonstruierter Oberflächen — •Martin Ahr 1 und Michael Biehl 1,2 — 1Institut für Theoretische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2SFB 410 Universität Würzburg
Wir stellen ein Gittergasmodell eines binären Materials vor, bei dem Atome einer Sorte an der Kristalloberfläche - anders als im Inneren des Kristalls - anisotrop miteinander wechselwirken. Dieses Material zeigt Oberflächenrekonstruktionen ähnlich denen der (001)-Oberfläche von II-VI-Halbleitern. Wir zeigen, daß unser Modell viele der charakteristischen Eigenschaften dieser Materialien, die bei Sublimation und Atomlagenepitaxie beobachtet werden, qualitativ wiedergibt. Wir schlagen Experimente vor, in denen bisher unbekannte Effekte untersucht werden könnten.