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O: Oberflächenphysik

O 22: Epitaxie und Wachstum (I)

O 22.1: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 16:15–16:30, C

Mechanismen des Inselwachstums bei der Homoepitaxie auf Al(111) — •Henri Hansen, Winfried Langenkamp und Thomas Michely — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Die Formen von Al-Adatominseln auf Al(111) nach der Deposition von 0.1 atomaren Lagen wurden im Temperaturbereich zwischen 65 K und 370 K ermittelt.

Bis etwa 120 K ergibt sich eine dendritisch fraktale Form mit dreizähliger Symetrie und einer bevorzugter Wachstumsrichtung in <112> Richtung, die bei 140 K in eine experimentell noch nicht beobachtete 3-armige Form übergeht. Oberhalb von 180 K wird eine dreieckige Inselform beobachtet, die durch <110>/{111} microfacettierte Stufen berandet wird. Die Gleichgewichtsform von Adatom- und Leerstelleninseln wurden durch Ausheilung dieser auf 370 K erzeugt.

Die Al-Adatominselformen auf Al(111) werden mit Pt-Adatominseln auf Pt(111) verglichen. Skaliert auf die Schmelztemperatur ergibt sich für beide Systeme eine ähnliche Entwicklung der Inselform. Kleine, aber deutliche Abweichungen der Formentwicklung, zusammen mit den Ergebnissen von ab initio Rechnungen und Monte Carlo Simulationen lassen eine Identifikation der für die Formentwicklung entscheidenden atomaren Prozesse zu.