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O: Oberflächenphysik

O 22: Epitaxie und Wachstum (I)

O 22.2: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 16:30–16:45, C

Aluminium-Adatomdiffusion und Verunreinigungen auf Al (111) — •Winfried Langenkamp, Henri Hansen und Thomas Michely — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Die gesättigte Al-Adatominseldichte auf Al(111) wurde mittels temperaturvariabler Rastertunnelmikroskopie und in Abhängigkeit von den Depositionsbedingungen zwischen 65 K und 300 K bestimmt.
Aufgrund der Reaktivität von Al erhöht sich die Inseldichte extrem empfindlich bei Deposition in Anwesenheit von kleinen Verunreinigungsmengen, die als Einfangzentren wirken. Ein Indikator für Keimung an Verunreinigungszentren ist eine außerordentlich kleine effektive Versuchsfrequenz der Adatomdiffusion als Resultat der Inseldichteanalyse mittels Nukleationstheorie. Der Einfluß geringer Sauerstoffverunreinigungen auf die Inseldichte wird quantitativ diskutiert und die Ergebnisse werden mit den Resultaten bei nominell sauberer Deposition verglichen.
Die Ergebnisse der Inseldichteanalyse für Versuchsfrequenz, Aktivierungsenergie der Adatomdiffusion und Dimerbindungsenergie werden mit den Resultaten von ab initio Rechnungen und experimentellen Daten für homoepitaktisches Wachstum auf Platin (111) verglichen.