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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.44: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Erzeugung und Charakterisierung künstlicher Nanostrukturen in Si mittels Rastersondenverfahren unter Verwendung von OTS als Resistmaterial — •A. Brechling, M. Sundermann, D. Meyners, K. Rott, U. Kleineberg und U. Heinzmann — Fakultät für Physik, Universität Bielefeld, Universitätsstraße 25, D–33615 Bielefeld

Wir haben die Verwendung eines Self Assembled Monolayers (SAM) als ultradünnen Resistfilm für das naßchemische Ätzen von Nanometerstrukturen in Silizium untersucht.

Alkylsilane bilden spontan auf einer hydroxilierten Siliziumoxidschicht, die auf der natürlichen Oxidschicht des Siliziums präpariert wurde, eine organisierte Monolage aus. Bedingt durch den kleinen Abstand der adsorbierten Kettenmoleküle besitzen diese selbstorganisierten Monolagen als Resist das Potential zur Strukturierung im Nanometerbereich. Die Strukturierung erfolgt mit dem STM unter UHV–Bedingungen durch Abrastern im Konstantstrommodus. Verwendet wurden geätzte Spitzen sowohl aus polykristallinem Wolfram als auch aus Platin/Iridium. Naßchemisch wurden die Strukturen mittels HF in das Siliziumoxid und anschließend durch KOH–Ätzen in das Siliziumsubstrat übertragen. Die erzeugten Strukturen wurden nach dem naßchemischen Ätzprozeß hinsichtlich der Strukturgenauigkeit mit AFM und STM analysiert.