Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.65: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Deposition massenselektierter Si Cluster auf Graphit — •Martin Grass¹, Davor Stolcic², and Gerd Ganteför³ — ¹martin.grass@uni-konstanz.de — ²davor.stolcic@uni-konstanz.de — ³gerd.gantefoer@uni-konstanz.de

Si₄⁻ Cluster werden mit Depositionsenergien zwischen 3eV und 20eV auf HOPG (highly orientated pyrolytic graphite) deponiert und mittels XPS (x-ray photoelectron spectroscopy), UPS (ultra-violett photoelectron spectroscopy), HREELS (high resolution electron energy loss spectroscopy) und STM (scanning tunneling microscopy) untersucht. Sowohl Deposition als auch die Untersuchung werden im UHV (ultrahigh vacuum) durchgeführt. Die Photoelektronenspektroskopie an Si Clustern in der Gasphase [1] zeigen für Cluster der Größen n= 4, 7 und 10 ein großes HOMO-LUMO gap, was auf eine hohe Stabilität hindeutet. Die massenseparierten und weich gelandeten Cluster zeigen eine hohe Mobilität bei Raumtemperatur und können an Stufenkanten und gefangen an Substratstörstellen oder möglicherweise als (Si₄)_n Cluster Aggregate gefunden werden.

[1] M. Maus, G. Ganteför, W. Eberhardt, Appl. Phys. A 70, 535-539 (2000)