Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.69: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Nanostrukturiertes Wachstum von Mn und V Clustern auf ultradünnen Al₂O₃-Filmen auf Ni₃Al(111) — •Almut Wiltner¹, Kirsten von Bergmann², Axel Rosenhahn¹, Jörg Schneider¹, Conrad Becker¹, Marko Kralj³, Petar Pervan³, Milorad Milun³ und Klaus Wandelt¹ — ¹Institut für Physikalische und Theoretische Chemie der Universität Bonn, Wegelerstr. 12, D-53115 Bonn. — ²Institute of Applied Physics and Microstructure Research Center, University of Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg — ³Institute of Physics, Bijenicka c. 46, P.O.Box 304, HR-10000 Zagreb, Croatia.

Es hat sich gezeigt, daß ultradünne Aluminiumoxidfilme auf NiAl-Legierungen geeignete Substrate für die Herstellung von Modellkatalysatoren darstellen. Auch auf Ni₃Al(111) können dünne und hochgeordnete Aluminiumoxidfilme präpariert werden [1]. Im Rastertunnelmikroskop (STM) treten bei Biasspannungen im Bereich des Leitungsbandes periodische Überstrukturen in einem Abstand von 2,7 nm bzw. 4,7 nm auf. Die Untersuchungen des Wachstums von V und Mn mittels STM haben gezeigt, daß die Cluster hoch geordnet mit einem mittleren Abstand von 2,7 nm aufwachsen. Die Clusterverteilungen weisen eine ausgeprägte hexagonale Symmetrie auf, die ebenfalls eindeutig mit der Überstruktur auf den Oxidfilmen korreliert werden kann. Die Wechselwirkung zwischen Substrat, Oxidfilm und Clustern wird ebenso diskutiert wie die Ursachen für die bevorzugte Nukleation an diesen ausgezeichneten Punkten.

A. Rosenhahn, J. Schneider, C. Becker, and K. Wandelt, J. Vac. Sci. Technol. A 18(4), 1923 (2000).