Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.80: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

STM-Untersuchungen von C₆₀ auf einer √3×√3-Bor-Oberflächenphase — •Tanja Stimpel, Hermann Baumgärtner und Ignaz Eisele — Institut für Physik, Universität der Bundeswehr München, Werner-Heisenberg-Weg 39, 85577 Neubiberg

In dieser Studie wurde das Wachstum von Fulleren C₆₀ auf einer Si(111)-Oberfläche untersucht. Aufgrund der hohen Dichte von dangling bonds an der Si(111)-7×7-Oberfläche und der dadurch sehr kleinen Oberflächenmobilität von C₆₀ enstehen keine einkristallinen Monolagen von Fullerenen. Die starke Bindung von C₆₀ an die Siliziumoberfläche verursacht zudem Verspannungen beim Wachstum von C₆₀ und dadurch die Bildung von Inseln. Da die erste Monolage von adsorbierten Fullerenen eine Passivierung der 7×7 rekonstruierten Oberfläche verursacht, enstehen dichtest gepackte Anordnungen von Fullerenen auf den Inseln. Diese weiteren Monolagen von Fullerenen sind jedoch bei thermischer Behandlung oberhalb 600^∘C sowie beim überwachsen instabil. Da allein die Passivierung der Siliziumoberfläche ausschlaggebend für die Rekonstruktion der C₆₀ Moleküle ist, wurde in dieser Untersuchung die Passivierung der Si(111)-Oberfläche durch eine √3×√3-Bor-Oberflächenphase benutzt, um eine dichteste Kugelpackung der Fullerene bereits in der ersten Monolage zu induzieren. Diese Möglichkeit des Wachstums von einkristallinen Monolagen und der Effekt, das durch thermische Behandlung dieser Strukturen dünne SiC-Schichten hergestellt werden können, bietet neue Möglichkeiten für Halbleiterbauelemente.