Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 32: Epitaxie und Wachstum (II)

O 32.14: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 18:45–19:00, C

Eine STM-Studie zum epitaktischen Wachstum des Fe auf GaAs(001) — •Rupert Moosbühler, Frank Bensch und Günther Bayreuther — Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg

Die GaAs(001)-Oberfläche und das Wachstum des Fe auf GaAs(001) für Bedeckungen von 0,1 - 10 Monolagen wurden mit dem Raster-Tunnel-Mikroskop in situ untersucht.
GaAs(001)-Substrate wurden in einer Molekularstrahl-Epitaxie-Anlage durch Ar-Ionen-Ätzen und gleichzeitiges Heizen bei etwa 600 ^∘C vorbehandelt. Dabei entstehen große atomar glatte Terrassen mit einer Ausdehnung von einigen 100 nm. An der Oberfläche bilden sich zwei verschiedene Rekonstruktionen aus - (4×2)- und (2×6) -, die als Domänen nebeneinander existieren. Die Flächenanteile dieser Rekonstruktionen können durch die Heiztemperatur gesteuert werden.
Fe wurde in mehreren Stufen bei Zimmertemperatur epitaktisch aufgewachsen, die Oberfläche wurde jeweils an demselben Ort abgebildet. Der Einfluss der Oberflächenrekonstruktion auf den Ort der Keimbildung und den Prozess der Koaleszenz wird diskutiert. Weiterhin wird untersucht, auf welche Weise die Oberflächenrekonstruktion des Substrates die starke uniaxiale Anisotropie des Fe beeinflusst.