Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 32: Epitaxie und Wachstum (II)
O 32.8: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 17:15–17:30, C
Analyse der Oberflächenstruktur epitaktischen Eisensilizids auf Si(111) mittels LEED — •S. Walter, R. Bandorf, W. Weiß, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg
Für die elektronische Anbindung dünner Metallsilizidfilme an das
Siliziumsubstrat spielt ihre atomare Struktur eine wichtige Rolle.
Auf Si(111) lassen sich wohlgeordnete geschlossene Eisensilizidfilme
durch Kodeposition der beiden Konstituenten erzeugen. Ein solcher Film
aus 8 ML Fe und Si wurde mittels Beugung langsamer Elektronen (LEED)
quantitativ untersucht. Nach Ausheilen bei 320∘C zeigt sich
ein (1×1)-periodisches LEED-Bild. Wie aus der Strukturanalyse
hervorgeht,
nimmt der Film — offensichtlich durch die epitaktische Stabilisierung
verursacht — die im Volumen nicht stabile CsCl-Struktur an.
Darüberhinaus
zeigt sich eine starke Relaxation, die terminierende Si-Lage relaxiert
— verglichen mit dem aus Rechnungen folgenden Volumenwert — um 8
% auswärts, die darauf folgenden Lagenabstände relaxieren um -16%
und +15%. Der Vergleich der Intensitätsspektren als Funktion der
Energie, I(E), mit den mittels Tensor-LEED ermittelten theoretischen
Vergleichspektren ergibt eine sehr gute Übereinstimmung
(Pendry-R-Faktor RP=0.17).
Gefördert durch die DFG im SFB 292.