Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 40: Oxide und Isolatoren (II)
O 40.6: Vortrag
Freitag, 30. März 2001, 12:30–12:45, K
Cr auf TiO2(110) - Ein Modellsystem der reaktiven Benetzung — •Christian Winde, Thomas Wagner, Christina Scheu und Manfred Rühle — Max-Planck-Institut für Metallforschung Stuttgart, Seestraße 92, 70174 Stuttgart
Mit Molekularstrahlepitaxie hergestellte Cr Schichten auf TiO2 Substraten wurden mit Augerelektronenspektroskopie und Rastertunnelmikroskopie in situ während des Wachstums untersucht. Hochauflösende und analytische Transmissionselektronenmikroskopie lieferten Erkenntnisse von atomistischer und elektronischer Struktur der Cr/TiO2 Grenzfläche. Hierbei wurde der Einfluß von Temperatur und Reduktionsgrad der TiO2(110) Oberfläche auf das Benetzungsverhalten studiert. Die Untersuchungen zeigen eine starke Wechselwirkung des sauerstoffaffinen Cr mit dem Substratmaterial. Bei Raumtemperatur kommt es zu einer strukturellen Störung der Substratoberfläche durch die Cr Bedeckung. Auf dieser defektreichen Grenzfläche wächst eine epitaktische, metallische Cr Schicht. Bei einer Substrattemperatur von 400 circC kommt es zu einer Änderung der Filmmorphologie. An der Grenzfläche bildet sich ein kristallines ternäres Oxid, auf welchem sich facettierte metallische Cr Cluster ausbilden. Anhand der erzielten Ergebnisse wird eine Modellvorstellung der reaktiven Benetzung von Cr auf dem Übergangsmetalloxid TiO2 vorgestellt.