Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 40: Oxide und Isolatoren (II)

O 40.7: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:45–13:00, K

Untersuchungen zur Bildung von dünnen epitaktischen BaO-Schichten auf Si(100) — •W. Ernst, J. Zachariae und H. Pfnür — Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstrasse 2, 30167 Hannover

Ba-Schichten (1-3 ML) wurden auf Si(100) bei Temperaturen von Raumtemperatur bis 1000K aufgedampft und mit hochauflösender Elektronenbeugung (SPA-LEED) und Röntgenphotospektroskopie (XPS) untersucht. Es bildeten sich die Überstrukturen 2×4 (1 ML), 1×2 (1/2 ML) und 2×3 (1/3 ML). Zusätzlich wurde in diesem Temperaturbereich die Bildung von Siliziden (BaSi und BaSi₂) untersucht und deren Einfluss auf das Wachstum von BaO. Die BaO-Schichten wurden durch nachträgliches Oxidieren oder durch Aufdampfen von Ba in einer Sauerstoffatmosphäre erzeugt. Die Temperaturen variieren dabei von Raumtemperatur bis 1000 K. Untersuchungen mit XPS (z.B. der Si2p-Emission) zeigten, dass die Bildung von Siliziumoxid bei den verwendeten Sauerstoffdosen vernachlässigbar ist. Das Wachstum der epitaktischen BaO-Schichten wurde durch Änderungen der Intensität im spekularen LEED-Reflex beobachtet und die gewachsenen Schichten wiederum mit dem SPA-LEED untersucht. Die dabei auftretenden Wachstumsmoden werden diskutiert.