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DS: Dünne Schichten

DS 18: Schichtherstellung II

DS 18.1: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 10:15–10:30, HS 31

Schichteigenschaften von dünnen DC-Magnetron gesputterten Phasenwechselmedien in Abhängigkeit der Herstellungsparameter — •Henning Dieker¹, Walter Njoroge², Hansjörg Weis¹ und Matthias Wuttig¹ — ¹I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, 52056 Aachen, Germany — ²Department of Physics, Kenyatta University, P.O. Box 43844 Nairobi, Kenya

Die wachsenden Anforderungen an Schnelligkeit und Speicherdichte von optischen Datenspeichern zwingen zum genaueren Verständnis des Einflusses der Herstellungsparameter auf die Eigenschaften gesputterter Phasenwechselschichten. Aus diesem Grund wurden dünne Ge₂Sb₂Te₅ Filme unter Variation der Sputterleistung und des Argondrucks auf Si abgeschieden und mittels Röntgenreflektometrie, Röntgenbeugung und Ellipsometrie untersucht. Das Ziel der Untersuchungen ist es, den Einfluss dieser Prozessparameter auf Dichte, Rauigkeit, Wachstumsrate und optische Eigenschaften der präparierten Ge₂Sb₂Te₅ Schichten zu analysieren. Bei den so hergestellten amorphen Schichten waren in Abhängigkeit der Prozessparamter Unterschiede in der Dichte, Rauigkeit und Wachstumsrate sowie bei den optischen Eigenschaften zu beobachten. Anschließend wurden die Proben unter Ar-Atmosphäre kristallisiert und die Struktur mittels Röntgenbeugung ermittelt. Röntgenreflektometrie und Ellipsometrie zeigten anschließend keine signifikanten Unterschiede der Schichten mehr. Die Unterschiede in den amorphen Schichten werden auf die veränderten Prozessparameter zurückgeführt und atomistische Erklärungsansätze vorgestellt.