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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

Mo, 10:15–11:00 HS 31 DS 1: Elektrische und optische Eigenschaften I
Mo, 11:00–12:30 HS 31 DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II
Mo, 14:00–14:45 HS 31 DS 3: Schichtwachstum: Modellierung
Mo, 15:00–15:30 HS 31 DS 4: Prozeßcharakterisierung
Mo, 10:15–11:00 HS 32 DS 5: Strukturbildung und -chararkterisierung I
Mo, 11:15–12:15 HS 32 DS 6: Strukturbildung und -chararkterisierung II
Di, 09:30–10:15 HS 31 DS 7: c-BN I
Di, 10:30–11:30 HS 31 DS 8: c-BN II
Di, 11:45–12:30 HS 32 DS 9: SYPO Kurzvortr
äge
Mi, 14:00–14:45 HS 31 DS 10: Diamant
Mi, 14:45–15:30 HS 31 DS 11: Diamant und ta-C
Mi, 15:45–16:30 HS 31 DS 12: Schichteigenschaften I
Mi, 16:30–17:00 HS 31 DS 13: Schichteigenschaften II
Mi, 14:00–15:00 HS 32 DS 14: organische Schichten
Mi, 15:15–16:15 HS 32 DS 15: Ionenimplantation: Erzeugung, Nachweis und Ausheilung von Defekten
Mi, 16:30–17:15 HS 32 DS 16: Ionenimplantation: Defect Engineering in Si / SiGe
Do, 09:30–10:15 HS 31 DS 17: Schichtherstellung I
Do, 10:15–10:45 HS 31 DS 18: Schichtherstellung II
Do, 11:00–11:45 HS 31 DS 19: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl
ächenmodifizierung I
Do, 11:45–12:30 HS 31 DS 20: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl
ächenmodifizierung II
Do, 14:00–14:45 HS 31 DS 21: Multilayer I
Do, 15:00–15:45 HS 31 DS 22: Multilayer II
Do, 09:30–10:15 HS 32 DS 23: Ionenimplantation: Ionenstrahlmischen
Do, 10:30–11:45 HS 32 DS 24: Ionenimplantation: Nanocluster- und Schichtsynthese
Do, 13:30–15:00 HS 32 DS 25: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil I
Do, 15:30–17:30 HS 32 DS 26: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil II
Di, 15:30–17:30 Poster Physik B DS 27: Postersitzung
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