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Regensburg 2002 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.10: Poster

Tuesday, March 12, 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Herstellung der kubischen metastabilen c-FeSi-Phase mittels Molekularstrahlepitaxie und Ionenimplantation — •M. Walterfang1, W. Keune1 und H. Reuther21Angewandte Physik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, 47048 Duisburg — 2Forschungszentrum Rossendorf e.V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, 01314 Dresden

Zur Herstellung einer epitaktischen kubischen metastabilen c-FeSi-Schicht wurde auf einen MgO(100)-Wafer zunächst bei 200C eine 30 Å dicke Pufferschicht aus natürlichem Eisen aufgedampft. Darauf wurde bei RT eine 100 Å dicke 57FeSi0.92-Legierungsschicht durch Simultanverdampfen von 57Fe und Si aufgewachsen. Diese wurde mit einer 50 Å dicken Si-Schicht abgedeckt, bevor die Probe 20 Minuten lang bei 250C getempert wurde. Die bei RT, 80 K und 4.2 K gemessenen 57Fe-Mössbauer(CEM-)Spektren wurden jeweils mit einer Einzellinie plus einer Quadrupolverteilung angepaßt. Mit abnehmender Temperatur tritt eine Linienverbreiterung auf, die möglicherweise auf zunehmende Quadrupolwechselwirkung aufgrund stärker werdender Gitterverzerrung zurückzuführen ist. Die Isomerieverschiebung der Einzellinie stimmt gut mit den Literaturwerten anderer epitaktischer c-FeSi-Schichten, sowie mit dem Wert der Isomerieverschiebung für c-FeSi, welches von uns mittels Ionenimplantation [Fe+ Ionen (50 bzw. 100 keV, 5 x 1017 cm−2) implantiert in Si(111)] hergestellt wurde [1,2], überein.
H. Reuther, Surf. and Interf. Anal. 22, 547 (1994)
H. Reuther, Hyperfine Interactions 95, 161 (1995) Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.

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