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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. II

HL 10.6: Talk

Monday, March 11, 2002, 16:45–17:00, H17

Transporteigenschaften freitragender Quantendots — •E. M. Höhberger¹, J. Kirschbaum¹, T. Krämer¹, R. H. Blick¹, W. Wegscheider² und M. Bichler³ — ¹Center for Nanoscience und Sektion Physik, LMU München, 80539 München — ²Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ³Walter-Schottky-Institut, TU München, 85747 Garching

Freitragende Nanostrukturen fungieren aufgrund ihrer geringen räumlichen Ausdehnung als Phononenkavitäten, da sie lediglich ein diskretes Spektrum an Gitterschwingungen zulassen. In eine freitragende GaAs/AlGaAs-Heterostruktur eingebettete zweidimensionale Elektronengase (2DEG) können durch eine Kombination stark anisotroper und isotroper Ätztechniken erzeugt und in Magnetotransportexperimenten charakterisiert werden. Im Gegensatz zu nicht unterätzten Proben zeigen die freitragenden 2DEGs charakteristische Strukturen im Magnetowiderstand bei kleinen Mangetfeldern, die durch kohärente Rückstreuprozesse erklärt werden können. Durch symmetrisch an einem quasi eindimensionalen Draht angeordnete Einschnürungen wird im freitragenden 2DEG ein Quantendot definiert, der ein diskretes Energiespektrum aufweist. Die Kombination der Einzelelektroneneffekte mit der diskreten phononischen Natur des freitragenden Systems erlaubt die Untersuchung der Kopplung einzelner Elektronen und Phononen.