Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: III-V Halbleiter I

HL 14.8: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:45–13:00, H13

Optische Verstärkung in (GaIn)(NAs)/GaAs — •Kristian Hantke¹, Jörg Koch¹, Wolfgang Stolz¹, Nils Gerhardt² und Martin Hofmann² — ¹Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg, 35032 Marburg — ²AG Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, 44780 Bochum

In dem metastabilen Materialsystems (GaIn)(NAs)/GaAs wird die optische Verstärkung mit verschiedenen Methoden gemessen und mit theoretischen Methoden auf Basis eines mikroskopischen Modells verglichen. Während die Verstärkungsspektren von MBE - gewachsenen Strukturen hervorragend durch theoretisch berechnete Spektren für inhomogen verbreitertes Quantenfilmmaterial beschrieben werden, zeigt sich für einzelne MOCVD - gewachsene Proben eine Substruktur der Lumineszenz - und Verstärkungsspektren. Diese Struktur wird als lokale Bandlückenvariation, also als Unordnungseffekt interpretiert.