Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 17: GaN I
HL 17.1: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 11:00–11:15, H17
Wachstum und optische Charakterisierung kubischer AlxGa1−xN/GaN Quantum-Well-Strukturen — •Stefan Potthast, Ulrich Köhler, Alexander Khartchenko, Donat As und Klaus Lischka — Universität Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Strasse 100, D-33095 Paderborn, Germany
Die Gruppe III-Nitride ermöglicht die Herstellung optoelektronischer Komponenten für einen Spektralbereich, der vom Sichtbaren bis ins nahe UV reicht. In ihrer metastabilen kubischen Phase weisen sie Eigenschaften auf, die Alx Ga1−xN/GaN-Strukturen gegenüber den bekannten hexagonalen GaN-Systemen aufgrund besserer elektrischer Leitfähigkeit und Substratverfügbarkeit (GaAs) als vorteilhaft erscheinen lassen. Die Herstellung fortschrittlicher Bauelementstrukturen erfordert Schichtsysteme aus ternären Verbindungen mit unterschiedlichem Aluminiumgehalt x. Es wurden Multi-Quantum-Well-Strukturen unterschiedlicher Breite und Tiefe, mit einem Al-Gehalt 0,07 <x<0,50 und einer Wellbreite Lz zwischen 2,5nm<Lz<10nm mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Anschließend wurden die strukturellen und optischen Eigenschaften durch hochauflösende Röntgenbeugung, Photo-und Kathodolumineszenz, sowie durch Photoreflexion bestimmt. Der Al-Gehalt wurde mittels Röntgendiffraktometrie ermittelt. Tiefenaufgelöste Kathodolumineszenz- und Photoreflexionsmessungen zeigen die Existenz quantisierter Niveaus im AlxGa1−xN/GaN-System. Die experimentellen Daten stimmen mit berechneten Werten unter Berücksichtigung des Verspannungszustandes überein.