Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: GaN I

HL 17.5: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:00–12:15, H17

Elektro-optische Eigenschaften von GaN-Schottky-Dioden — •D. Fuhrmann¹, S. Shokhovets¹, R. Goldhahn¹, G. Gobsch¹, U. Karrer² und O. Ambacher² — ¹Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — ²Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching

Mit der Realisierung von Schottky-Dioden auf der Basis von Gruppe-III-Nitridhalbleitern eröffnen sich neue Möglichkeiten zur Entwicklung wellenlängenselektiver, empfindlicher Empfänger für den nahen ultravioletten Spektralbereich. Dies erfordert ein umfassendes Verständnis der elektrischen, optischen und elektro-optischen Prozesse im Bereich der Oberflächenraumladungszone. Hierzu können z.B. kombinierte Elektroreflexions- (ER), Photostrom- (PC) und Photolumineszenzmessungen beitragen.

Wir stellen Ergebnisse derartiger Untersuchungen in Abhängigkeit von der angelegten Spannung für GaN-Dioden vor, bei denen der semitransparente Pt-Kontakt entweder auf der N- bzw. Ga-terminierten polaren Oberfläche aufgedampft wurde. Aus den Franz-Keldysh-Oszillationen der ER-Daten läßt sich die Feldstärke und damit die Barrierenhöhe bestimmen. Im Bereich der freien Exzitonenübergänge wird erstmals eine ausgeprägte Rotationsstruktur in den ER-Spektren bei Variation der Gatespannung nachgewiesen, die durch das Auftreten einer exzitonenfreien Randschicht erklärt werden kann. Diese Annahme korreliert mit der beobachteten Abnahme des exzitonischen Beitrags in den PC-Spektren bei wachsender Feldstärke.