Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: II-VI Halbleiter

HL 23.10: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 17:30–17:45, H17

Ungewöhnliches Diffusionsverhalten von Ag in CdTe — •H. Wolf¹, V. Ostheimer¹, Th. Wichert¹ und N.A. Stolwijk² — ¹Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — ²Institut für Materialphysik, Universität Münster, 48149 Münster

Für die Untersuchung des Diffusionsverhaltens von Ag in CdTe wurde ¹¹¹Ag mit einer Energie von 60 keV (ISOLDE) bzw. 80 keV (Uni Bonn) in 500 µm dicke CdTe Einkristalle implantiert. Die Implantationsdosis lag zwischen 10⁹ und 10¹¹ cm⁻². Die Diffusionsprofile wurden nach Tempern der Kristalle zwischen 500 und 800 K bestimmt. Die Schichtenteilung erfolgte in einem Mikroschleifverfahren, die ¹¹¹Ag Konzentration in den Schichten wurde Messung der Intensität der 342 keV γ-Strahlung bestimmt. Abhängig von der Diffusionstemperatur und der Probenvorbehandlung wurden sehr unterschiedliche Formen der ¹¹¹Ag Profile gemessen. Nach Tempern bei 550 K wird in ungeätzten Kristallen, bei 800 K auch in geätzten Kristallen, eine starke, nach innen gerichtet Drift der ¹¹¹Ag Atome beobachtet. Diese Drift lässt sich in einem halb-empirischen Modell quantitativ beschreiben, welches auch den Diffusionskoeffizient für Ag in CdTe liefert. Die Ko-Diffusion von aufgedampftem Cu bewirkt bereits nach 30 minütigem Tempern bei 550 K eine vollständige Drift der ¹¹¹Ag Atome zur Rückseite des Kristalls. Um nähere Informationen über dieses Phänomen zu erhalten, wurde mit radioaktivem ⁶⁷Cu die Diffusion von Cu in CdTe untersucht. Die Form des Cu Profils, das bis zur Kristallrückseite reicht, weist auf einen kick-out Mechanismus für die Cu Diffusion hin. — Gefördert durch die DFG, Projekt Nr. Wi715/-1 und das BMBF Projekt Nr. WI5SAA