Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 23: II-VI Halbleiter

HL 23.11: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 17:45–18:00, H17

Stickstoffinduzierte lokale Schwingungsmoden in ZnO:N — •Ute Haboeck¹, A. Kaschner¹, Martin Straßburg¹, Matthias Straßburg¹, G. Kaczmarczyk¹, A. Hoffmann¹, C. Thomsen¹, A. Zeuner², H.R. Alves², D.M. Hofmann² und B.K. Meyer² — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Gießen, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Gießen

Noch immer besteht, wie bei anderen II-VI Breitbandhalbleitern, auch bei Zinkoxyd (ZnO) das Problem, p-leitende Epischichten von ausreichender Güte herzustellen. Der erste Schritt muß insofern die Suche nach geeigneten Dotierungssubstanzen sein. Stickstoff ist ein potenzieller Akzeptor für ZnO. Wir haben anhand einer Serie von CVD-gewachsenen Proben mit unterschiedlichem Stickstoffgehalt, den wir mittels SIMS (Sekundär Ionen Massenspektroskopie) bestimmen konnten, den Einfluß der Dotierung auf die Gitterdynamik untersucht. Ramanmessungen zeigten neben den Wirtsphononen mehrere zusätzliche Strukturen, die wir lokalen Schwingungen des Stickstoffs zuordnen. Ihre Intensität ist linear mit der Stickstoffkonzentration korreliert und liefert so auch eine zerstörungsfreie Methode zur Gehaltsbestimmung. Daneben deuten die SIMS-Messungen darauf hin, daß neben Stickstoff auch Wasserstoff eingebaut wird, ein ähnlicher Mechanismus wie bei der p-Dotierung von GaN durch Magnesium.