Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Symposium: II-VI Halbleiter

HL 25.5: Fachvortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 16:30–17:00, H15

Beryllium Chalcogenide: Grenzflächenphysik und Anwendungensmöglichkeiten — •Veit Wagner — Physikalisches Institut, EP III, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Widebandgap II-VI Halbleiter sind Kandidaten für optoelektronische Anwendungen, speziell im grün/blauen-Spektralbereich. Allerdings tritt Degradation auf, welche u.a. der hohen II-VI-Bindungspolarität zugeschrieben wird. Ein Konzept um diese zu reduzieren ist die Verwendung von II-VI-Materialien mit kleinen Gruppe-II-Atomen (Beryllium). Speziell das p-dotierbare BeTe und das n-dotierbare Kationen-Michsystem BeMgCdZnSe haben sich hier Anwendungsbereiche erschlossen. Z.B. BeCdSe als Trogmaterial erlaubt eine vorteilhafte tensile Verspannung. Durch Kombination von (BeMg)ZnSe und BeTe (beide gitterangepaßt für GaAs Substrate) lassen sich Typ-II Heterostrukturen realisieren, deren räumlich indirekter Übergang gezielt eingestellt werden kann und welcher langzeit stabil ist. Der Übergang erzeugt linear polarisiertes Licht, welches durch die Art und Richtung der chemischen Bindungen an der Grenzfläche bestimmt ist. U.a. die Modulationsspektroskopie erlaubt hier eine detailierte Analyse der elektronischen Grenzflächenzustände. Ersetzt man ZnSe durch das 7% größere CdSe, erhält man ein System mit dem Potential zur Ausbildung von selbstorganisierten Quantenpunkten mit extrem hohem Elektroneneinschluß (∼1eV). Analog zu vorher können Cd-Te oder Be-Se Interfacebonds gebildet werden. Bei der Untersuchung einzelner CdSe-Monolagen in BeTe-Barrieren mittels Ramanspektroskopie erweißt sich die untere Grenzfläche (Aufwachsen auf die BeTe-Barriere) als am besten kontrollierbar.