Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II
HL 27.2: Vortrag
Mittwoch, 13. März 2002, 14:45–15:00, H14
Wie verschieden ist die Quantenkinetik von einem Raman-Prozess ? — •W. A. Hügel1, M. Wegener1, Q. T. Vu2, L. Bányai2, H. Haug2, F. Tinjod3 und H. Mariette3 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe (TH), Kaiserstr.12, 76128 Karlsruhe — 2Insitut für Theoretische Physik, Universität Frankfurt, 60054 Frankfurt am Main — 3CEA-CNRS Research Group "Nanophysique et Semiconducteurs", Université Grenoble, 38054 Grenoble, France
Wir besprechen Photonenecho-Experimente (VWM) mit 15 fs Impulsen am II-VI Halbleiter CdTe bei Raumtemperatur im quantenkinetischen Regime. Es wird eine, dem VWM-Signal überlagerte, Oszillation beobachtet mit einer Periodendauer von Tosc=34 fs (mit und ohne Kohärente Kontrolle). Die Periodendauer des LO-Phonons im CdTe ist TLO=195 fs. Diese Beobachtungen interpretieren wir als Überlagerungszustand aus Loch hat ein Phonon emittiert und Loch hat kein Phonon emittiert der sich ganz grob in eine Oszillationsperiodendauer Tosc=TLO/(1+mh/me) übersetzt. Bei einem Raman-Prozess hingegen gälte Tosc=TLO – Quantenkinetik und Raman-Prozess sind hier also um einen Faktor von fünf verschieden. Weiterhin beobachten wir am CdTe eine leichte Zunahme der Abfallzeitkonstante des VWM-Signals mit steigender Ladungsträgerdichte – beim GaAs ist das Verhalten bekanntermaßen umgekehrt.