Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II
HL 27.5: Vortrag
Mittwoch, 13. März 2002, 15:30–15:45, H14
Transiente Subbandbesetzungen in einer GaAs/AlGaAs Quantum-Well Struktur nach Interbandanregung — •S. Hanna1, S.R. Schmidt1, A. Seilmeier1 und L.E. Vorobjev2 — 1Physikalisches Institut, Universität Bayreuth, 95440 Bayreuth — 2St. Petersburg State Technical University, St. Petersburg 195251, Russia
Eine für einen optisch gepumpten Intersubband-Laser konzipierte GaAs/AlGaAs-Struktur mit vier gebundenen Subbändern im Leitungsband wird mit Hilfe eines Pikosekunden-VIS/IR Pump-Probe Experiments untersucht. Messungen bei niedrigen Anregungsdichten liefern die Intersubband-Übergangsfrequenzen. Von besonderem Interesse sind die transienten Besetzungen der Subbänder nach Interbandanregung mit einem 523nm-Impuls mit verschiedenen Intensitäten. Beim Übergang vom dritten zum zweiten Subband ist dabei aufgrund der Konzeption der Struktur eine Besetzungsinversion zu erwarten. Die Zeitabhängigkeit der gemessenen induzierten Absorptionssignale wird durch die Lebensdauern der e1-e2- und e2-e3-Intersubbandübergänge und durch das Abkühlen der Ladungsträger auf einer Zeitskala von einigen 10ps im Leitungsband bestimmt. Die Zusammenhänge zwischen der schnellen Besetzung der Subbänder und der relativ langsamen Thermalisierung werden im Hinblick auf eine zu erwartende Verstärkung diskutiert und mit Simulationsrechnungen verglichen.