Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung
HL 28.8: Vortrag
Mittwoch, 13. März 2002, 16:15–16:30, H17
Herstellung und Charakterisierung von geordneten InAs Quantenpunkten in der MOVPE — •F. Poser1, S. Weeke1, A. Bhattacharya2 und W. Richter1 — 1Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Solid State Electronics Group, Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai, 400 005, India
Quantenpunkte (QP) stellen auf Grund ihrer eingeschränkten Dimensionalität eine mögliche Basis für optoelektronische Bauelemente dar. Die Herstellung im Stranski-Krastanow Wachstumsmodus ist vergleichsweise einfach, führt jedoch zu unterschiedlichen Ausdehnungen und einer statistischen Verteilung der QP. Durch Stapelung von QP-Schichten kann eine vertikale Anordnung und eine Homogenisierung ihrer Größe erreicht werden [1], neuere Arbeiten [2] zeigen zudem, daß auch ein horizontal geordnetes Abscheiden durch die Nutzung strukturierter Substrate möglich ist. Im vorliegenden Fall werden die InAs Quantenpunkte auf einer vizinalen GaAs Oberfläche abgeschieden, auf der vorher eine GaAs Bufferschicht derart gewachsen wurde, daß sich Makrostufen ausbilden. Die Quantenpunkte ordnen sich dadurch entlang der Stufen an. Kombiniert man dies mit der Stapelung von Quantenpunktschichten getrennt durch entsprechende GaAs Zwischenschichten erhält man vertikal und horizontal geordnete Quantenpunkte mit einer homogenen Größenverteilung.
[1] Steimetz, E. et al, J.Crys.Growth 195 (1998) p.530-539
[2] Hyo Jin Kim et al, Appl. Phys. Lett. 78 Nr. 21 (2001)