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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

HL 32.6: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 11:45–12:00, H14

Änderungen des elektrischen Transportes von Cu(In,Ga)(S,Se)2-Solarzellen durch künstliche Alterung — •Carsten Deibel1, Arne Wessel1, Vladimir Dyakonov1, Jürgen Parisi1, Jörg Palm2 und Franz Karg21Abteilung Energie- und Halbleiterforschung, Fachbereich Physik, Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg — 2Siemens & Shell Solar GmbH, 81739 München

Die elektrischen Änderungen, die bei auf Cu(In,Ga)(S,Se)2 basierenden Solarzellen durch künstliche Alterung (den standardisierten ‘Damp Heat’ (DH) Test) herbeigeführt werden, sind Gegenstand unserer Untersuchungen. Ungekapselte Testzellen zeigen eine Verringerungen der Leerlaufspannung und des Füllfaktors bei anhaltender DH-Belastung. Elektrische Transportmessungen mit Admittanzspektroskopie und Transienter Störstellenspektroskopie (DLTS) weisen den Einfluß von Grenzflächendefektzuständen und tiefen Störstellen nach. Die Aktivierungsenergie und der Einfangquerschnitt der Zustände an der Absorber/Puffer-Grenzfläche folgen der Meyer-Neldel Relation. Im Absorber erhöht sich die Konzentration an tiefen Akzeptor-artigen Defekten. Zudem entstehen flache Donator-artige Zustände. Der Einfluß der verschiedenen Verlustmechanismen wird anhand von eindimensionalen Transportsimulationen (SCAPS) verdeutlicht.

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