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Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

Thursday, March 14, 2002, 10:30–13:30, H14

10:30 HL 32.1 Analysis of interface formation in CdTe/CdS thin film solar cells — •Mathias Terheggen, Helge Heinrich, Gernot Kostorz, Alessandro Romeo, and Ayodhya Tiwari
10:45 HL 32.2 Bildungs- und Vernichtungsverhalten des Chrom-Bor Komplexes in multikristallinem, solar-grade Silicium — •Oliver Klettke, Dieter Karg, Gerhard Pensl, Max Schulz und Thomas Lauinger
11:00 HL 32.3 Verlustmechanismen in SiNx-rückseitenpassivierten Silicium-Solarzellen — •Stefan Dauwe, Lutz Mittelstädt, Axel Metz und Rudolf Hezel
11:15 HL 32.4 Verringerung der Grenzflächenzustandsdichte in Al/SiOx/p-Si MIS-Tunneldioden durch Tempern — •Carsten Peters und Rudolf Hezel
11:30 HL 32.5 Neuartige Textur aus invertierten Pyrmiden für kristalline Silizium Solarzellen — •Jörg Müller, Axel Metz und Rudolf Hezel
11:45 HL 32.6 Änderungen des elektrischen Transportes von Cu(In,Ga)(S,Se)2-Solarzellen durch künstliche Alterung — •Carsten Deibel, Arne Wessel, Vladimir Dyakonov, Jürgen Parisi, Jörg Palm und Franz Karg
12:00 HL 32.7 Charakterisierung siebgedruckter ohmscher Al und AgAl-Kontakte auf p-dotiertem Silizium — •Jochen Rentsch und Dominik M. Huljic
12:15 HL 32.8 Epitaktisches Wachstum von CuGaS2 auf Si(111) — •J. Cieslak, H. Metzner, Th. Hahn, U. Reislöhner, U. Grossner, J. Kräusslich, U. Kaiser und W. Witthuhn
12:30 HL 32.9 Ortsaufgelöste Photolumineszenz an Chalkopyrit-Absorber für Dünnfilmsolarzellen — •Tristan Crecelius, Gereon Meyer, Günter Kaindl und Andreas Bauer
12:45 HL 32.10 Untersuchung der chemischen und elektronischen Eigenschaften der ZnO/CuIn(S,Se)2 Grenzfläche in Dünnschichtsolarzellen — •L. Weinhardt, Th. Gleim, M. Bär, H.-J. Muffler, Ch.H. Fischer, M.C. Lux-Steiner, Th.P. Niesen, F. Karg, C. Heske und E. Umbach
13:00 HL 32.11 Polykristalline Silizium-Schichten auf Glas durch aluminium-induzierte Kristallisation — •S. Gall, M. Muske, I. Sieber, O. Nast und W. Fuhs
13:15 HL 32.12 Laserunterstützes Verfahren zur Kontaktierung der Rückseite von Silizium-Solarzellen — •Andreas Grohe, Eric Schneiderlöchner, Gernot Emanuel und Ralf Preu
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