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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Bauelemente

HL 34.2: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 11:30–11:45, H13

Rauhigkeit an elektronischen p-n Übergängen — •N.D. Jäger1, K. Urban1, E.R. Weber2 und Ph. Ebert11Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich — 2University of California und LBNL, Berkeley

Halbleiterbauelemente basieren auf der Möglichkeit, das Fermi-Niveau durch Einbau von Dotieratomen energetisch und räumlich zu positionieren. Je kleiner Bauelemente werden, desto schärfer müssen verschieden dotierte Bereiche voneinander abgegrenzt sein. Wir zeigen mittels Rastertunnelmikroskopie, daß die Rauhigkeit von „elektronischen“ Grenzflächen in p-n GaAs-Multischichten aufgrund langreichweitiger elektrostatischer Abschirmfelder um jedes einzelne Dotieratom und Dotieratomclusterbildung viel größer wird als die der zugrundliegenden atomar glatten metallurgischen Grenzfläche. Die Clusterbildung und die daraus resultierenden Bereiche erniedrigter Dotieratomdichte verursachen Verarmungszonen, die lokal durch die gesamte nominell homogen dotierte Schicht reichen, sobald die Schichtdicke Clusterdimensionen erreicht. Somit begrenzt die Dotieratomclusterung die Genauigkeit der räumlichen und energetischen Positionierung des Fermi-Niveaus in Nanostrukturen.

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