Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.12: Poster
Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A
Einfluss von Niedertemperatur- und SixNy-Zwischenschichten auf die kristallinen und elektrischen Eigenschaften von GaN — •Antje Reiher, J. Bläsing, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg PF 4120, D-39016 Magdeburg
Niedertemperatur Zwischenschichten, aus z.B. Al(Ga)N können erfolgreich zum Wachstum von spannungsrelaxierten GaN-Schichten eingesetzt werden. Bisher wurde der Einfluss von Niedertemperaturschichten teilweise untersucht, völlig unbekannt sind Untersuchungen auf Silizium.Vorgestellt werden Untersuchungen zum Einfluss der Abscheideparameter der Zwischenschicht (Dicke, Komposition, Temperatur) auf die strukturelle Qualität und die elektrischen Eigenschaften. Die strukturellen Untersuchungen wurden mittels Röntgenbeugung (Rockingkurven symmetrischer und asymmetrischer Reflexe inklusive Tiefenauflösung durch schiefwinklige Messgeometrien), AFM- und Normarski-Mikroskopie (Oberflächenmorphologie) durchgeführt. Analysiert wurden dabei die Abhängigkeiten der Gitterparameter, Mosaizität, Tiefenprofile, Verspannungen, Krümmungsradien, Rissdichten und Oberflächenrauhigkeiten von den Abscheideparametern. Die Analysen wurden durch elektrische Messungen (I-V-Kennlinie) ergänzt. Erste Untersuchungen haben gezeigt, dass reine Niedertemperatur AlN:Si-Schichten teilweise niedrigere Widerstände als AlGaN:Si-Schichten besitzen. Die strukturelle Verbesserung von Proben mit SixNy-Zwischenschichten führt zu einer 5-fach höheren Lichtausbeute für GaN-basierte LEDs auf Silizium.