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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.32: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Optische Kapazitätsspektroskopie am EL2-Zentrum in GaAs — •R.-R. Ludwig, J. Bollmann und J. Weber — Institut für Tieftempertaturphysik, Technische Universität Dresden, 01062 Dresden

Bei der Herstellung semi-isolierender Galliumarsenid-Substrate (SI-GaAs) ist der kontrollierte Einbau singulärer As-Atome im Ga-Untergitter (AsGa - arsenic antisite defect; EL2) von zentraler Bedeutung. Mit ihrer Hilfe gelingt es, unvermeidliche Restdotierungen zu kompensieren und hochohmiges Substratmaterial mittels LEC (Liquid Encapsulated Czochralski growth technique) oder VGF (Vertical Gradient Freezing) zu fertigen.

Eine kontakt- und zerstörungsfreie Bestimmung der EL2-Zentrenkonzentration ist mit Hilfe optischer Transmissionsmessungen möglich. Für deren präzise Auswertung ist die Kenntnis der spektralen Abhängigkeit des Wirkungsquerschnittes für den Photoneneinfang am EL2-Defekt bestimmend. Die bisherige Analyse beruht auf Daten aus dem Jahre 1988 von P. Silverberg et al.[1]. Es werden neue Messungen für den Absorptionsquerschnitt von Elektronen und Löchern vorgestellt, die mittels optischer Kapazitätsspektroskopie gewonnen wurden.

[1] P. Silverberg et al., Appl. Phys. Lett. 52(20), 1689-1691 (1988)

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