Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.39: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

In-situ Ramanspektroskopie an III-V Verbindungen in der MOVPE — •Eugen Speiser, T. Schmidtling, K. Fleischer und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Das Wachstum von III-V Halbleitern in der MOVPE ist für viele Materialsysteme bisher nur teilweise verstanden. Mit in-situ Untersuchungsmethoden wird deshalb versucht, ein tieferes Verständnis für die Wachstumsprozesse zu gewinnen. Ein bisher in diesem Zusammenhang noch nicht genutztes Messverfahren ist die Ramanspektroskopie, mit der man beispielsweise die Zusammensetzung von ternären und quaternären Materialien (Energie der Ramanmoden), die Temperatur der Wachstumsoberfläche (Stokes-Antistokes Intensitätsverhältnis)und auch die Qualität der gewachsenen Schichten (Linienbreite) bestimmen kann.

Im Rahmen dieses Projekts wurde ein Ramanspektroskopieaufbau realisiert, der für die Integration in eine Gasphasenepitaxieanlage geeignet ist. Die Anpassung des Raman Aufbaus an die MOVPE Anlage erfolgte mittels Glasfasern, um die räumliche Trennung von der Mess- und Versuchsapparatur zu überwinden.

Die Fähigkeit Halbleiteroberflächen bei hohen Temperaturen in der MOVPE Anlage (bis 1100 K) zu stabilisieren, eröffnet zusätzlich die Möglichkeit, die bisherigen Ergebnisse der Hochtemperatur Ramanspektroskopie zu verifizieren und zu erweitern. Es werden erste Hochtemperatur Ramanspektren von einer stabilisierten GaAs Oberfläche vorgestellt.

Diese Arbeit wird von von der EU im Rahmen des ISCE-MOCVD Projektes unterstützt.