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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.50: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Metall-organische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung von ZnO-Schichten für optoelektronische Anwendungen — •Th. Gruber, Ch. Kirchner, K. Thonke, R. Sauer und A. Waag — Abt. Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Aufgrund seiner Bandlücke von 3.3 eV bei 300 K und seiner grossen Exzitonenbindungsenergie von 60 meV ist ZnO ein oft genannter Kandidat für optoelektronische Anwendungen im blauen und UV-Spektralbereich. Dazu müssen jedoch ZnO-Schichten guter Qualität reproduzierbar hergestellt werden. Eine Möglichkeit hierfür ist die metall-organische Gasphasenepitaxie (MOCVD). Unter der Verwendung von Isopropanol als Sauerstoffquelle konnten ZnO-Schichten mit Wachstumsraten von bis zu 2.6 µm/h erzeugt werden. Der Einfluss der Wachstumsparameter und des Substratmaterials (c-Saphir, GaN-Templates und ZnO-Substrate) auf die strukturellen und optischen Eigenschaften der Schichten wurden mit AFM-, HRXRD-, PL- und Reflexionsmessungen untersucht. Unsere Ergebnisse deuten darauf hin, dass qualitativ hochwertige ZnO-Schichten mittels MOCVD hergestellt werden können. Die Wahl eines geeigneten Substrats und optimierte Wachstumsparameter sind jedoch entscheidend im Hinblick auf mögliche optoelektronische Anwendungen.