Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.6: Poster
Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A
Untersuchung dünner GeSi-Pseudosubstrate auf Silizium — •T. Wietler, N. Hoffmann und K.R. Hofmann — Inst. für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Appelstr 11a, 30167 Hannover
Für die Integration extrem leistungsfähiger Ge/Si-Heterobauelemente mit pseudomorph verspannten Kanälen in die konventionelle Siliziumtechnologie benötigt man relaxierte GexSi1−x-Pseudosubstrate auf Siliziumwafern. Mit der Surfactant Modifizierten Epitaxie (SME) steht ein Verfahren zur Verfügung, mit dem extrem dünne relaxierte Ge- und GexSi1−x-Filme direkt auf Si-Substraten hergestellt werden können. Diese Schichten weisen niedrige Defektdichten und geringe Rauhigkeiten auf, was sie für die Verwendung als Pseudosubstrate hervorragend geeignet macht. Mit Sb als Surfactant wurden mittels SME auf Si(111)-Substraten ultradünne GexSi1−x-Filme mit Schichtdicken von 50 nm bis 500 nm hergestellt, wobei der Ge- Anteil zwischen 60% und 90% variiert wurde. Die Oberflächenmorphologie der Proben wurde in Abhängigkeit von Zusammensetzung, Wachstumstemperatur und Schichtdicke mit dem AFM untersucht. Zusätzlich wurden an 1µm dicken GexSi1−x- Filmen mit dem SEM nach der Etch-Pit-Density-Methode Defektdichten gemessen. Um die Einsatzmöglichkeit von SME-GeSi für elektrische Bauelemente zu untersuchen, wurden diese Schichten elektrisch charakterisiert.