Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung
HL 42.1: Vortrag
Freitag, 15. März 2002, 11:00–11:15, H13
Identifikation des Ga-Antisite-Defektes GaAs in GaAs durch radioaktive Elementumwandlung des Isotopes 71As — •F. Albrecht1, G. Pasold1, J. Grillenberger1, N. Achtziger2, M. Dietrich3, W. Witthuhn1 und die ISOLDE Collaboration4 — 1Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Fraunhofer Institut für Integrierte Schaltungen IIS-A, Am Weichselgarten 3, 91058 Erlangen — 3Technische Physik, Universität des Saarlandes, D-66041 Saarbrücken — 4CERN, CH-1211, Geneva 23, Schweiz
Zur elektrischen Charakterisierung des Ga-Antisite-Defektes GaAs in GaAs wurde an der ISOLDE/CERN das radioaktive Isotop 71As sowohl in n- als auch p-dotierte epitaktische MBE-GaAs-Schichten implantiert. Im Anschluß an eine thermische Behandlung wurden die so präparierten Schichten im Verlauf der Elementumwandlung zum 71Ga über 71Ge mit Hilfe wiederholter Deep Level Transient Spectroscopy- Messungen untersucht. In n-Typ GaAs läßt sich eine Störstelle (ET=EC−0.67(2)eV, σ=5· 10−14cm2) detektieren, deren Konzentration auf der Zeitskala des radioaktiven Zerfalls vom 71Ge zum 71Ga (T0.5ex 1 −0.1em/−0.15em 0.25ex 2=11.2d) abnimmt. Unter Berücksichtigung der Form der Zerfallskurve kann von einer Korrelation dieses Niveaus mit Ge ausgegangen werden. In p-Typ GaAs hingegen konnte eine innerhalb derselben Zeit in ihrer Konzentration ansteigende Störstelle (ET=EV+0.37(2)eV, σ=5· 10−14cm2) beobachtet werden, welche sich damit eindeutig dem während der Elementumwandlung entstehenden Ga-Antisite-Defekt zuordnen läßt.