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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung

HL 42.2: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:15–11:30, H13

Identifikation Erbiumkorrelierter Störstellen in SiC — •G. Pasold1, F. Albrecht1, J. Grillenberger1, C. Hülsen1, U. Großner1, R. Sielemann2 und W. Witthuhn11Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Hahn- Meitner- Institut Berlin, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin

Epitaktisch gezüchtete n- und p-Typ 4H-SiC- Schichten wurden mittels Rückstoßimplantation am Ionenstrahllabor des HMI (Berlin) mit radioaktiven 160Er Isotopen dotiert. Während der Elementumwandlung zum stabilen Isotop 160Dy (über 160Ho) wurden an den präparierten Schottky- Kontakten wiederholt Deep Level Transient Spectroscopy- Messungen durchgeführt, um Eigenschaften der durch die implantierten Isotope hervorgerufenen tiefen Störstellen zu untersuchen.
In p-Typ 4H-SiC ist eine tiefe Störstelle mit fallender Konzentration (ET=EV + 0.74(1)eV;  σ = 2(1)· 10−14cm2) detektierbar. Die Konzentration dieser Störstelle nimmt mit der Halbwertszeit T0.5ex 1 −0.1em/−0.15em 0.25ex 2= 28.8h des Kernzerfalls von 160Er ab. Eine eindeutige Zuordnung dieser Störstelle zum implantierten Er ist somit möglich. Das Entstehen neuer tiefer Störstellen (eventuell Dy korreliert) wird in keiner der untersuchten Proben beobachtet.

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