Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung
HL 42.2: Vortrag
Freitag, 15. März 2002, 11:15–11:30, H13
Identifikation Erbiumkorrelierter Störstellen in SiC — •G. Pasold1, F. Albrecht1, J. Grillenberger1, C. Hülsen1, U. Großner1, R. Sielemann2 und W. Witthuhn1 — 1Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — 2Hahn- Meitner- Institut Berlin, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin
Epitaktisch gezüchtete n- und p-Typ 4H-SiC- Schichten
wurden mittels Rückstoßimplantation am Ionenstrahllabor des HMI
(Berlin) mit radioaktiven 160Er Isotopen dotiert. Während
der Elementumwandlung zum stabilen Isotop 160Dy (über
160Ho) wurden an den präparierten Schottky- Kontakten
wiederholt Deep Level Transient
Spectroscopy- Messungen durchgeführt, um
Eigenschaften der durch die implantierten Isotope hervorgerufenen
tiefen Störstellen zu untersuchen.
In p-Typ 4H-SiC ist eine
tiefe Störstelle mit fallender Konzentration (ET=EV +
0.74(1)eV; σ = 2(1)· 10−14cm2) detektierbar. Die
Konzentration dieser Störstelle nimmt mit der Halbwertszeit
T0.5ex 1 −0.1em/−0.15em
0.25ex 2= 28.8h des Kernzerfalls
von 160Er ab. Eine eindeutige Zuordnung dieser Störstelle
zum implantierten Er ist somit möglich. Das Entstehen
neuer tiefer Störstellen (eventuell Dy korreliert) wird in
keiner der untersuchten Proben beobachtet.