Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen
HL 45.2: Vortrag
Freitag, 15. März 2002, 12:15–12:30, H17
Rastertunnelmikroskopie an epitaktisch gewachsenen Dy-Siliziden auf Si(111) — •I. Engelhardt, S.K. Becker, C. Preinesberger und M. Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Die Seltenerdsilizide zeichnen sich durch die geringste je beobachtete Schottky-Barriere sowie eine geringe Gitterfehlanpassung beim epitaktischen Wachstum auf Silizium aus[1]. Um diese günstigen Eigenschaften für den Bau von neuartigen Halbleiterbauelementen auszunutzen, ist die Kenntnis der Struktur der verschiedenen Silizide erforderlich. Mittels hochaufgelöster Rastertunnelmikroskopie konnte beobachtet werden, dass bei niedriger Dy-Bedeckung (≤ 0,5 ML) sich neben der reinen Si(111)7x7 Oberfläche Bereiche ausbilden, die eine 2√3x2√3R30∘- und eine 5x2 Rekonstruktion aufweisen. Bei höheren Bedeckungen (0,5 - 3 ML) bilden sich sechseckige Inseln der DySi2-Monolage, deren Kanten entlang der [101] Gitterrichtung des Substrats orientiert sind. Ab 1,8 ML bilden sich dreidimensionale Silizidinseln mit einer √3x√3R30∘-Überstruktur, die sich durch abgerundete Außenkanten von der Monolage unterscheiden. Erstmalig wurden die obersten Si-Atome dieser Oberflächen sichtbar gemacht.
[1] S. Vandré, C. Preinesberger, T. Kalka, and M. Dähne-Prietsch, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1682 (1999)