Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 45: Grenz- und Oberfl
ächen

HL 45.6: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 13:15–13:30, H17

In situ- und UHV-Untersuchung von MOCVD-präparierten GaSb(100)-Oberflächen — •Zadig Kollonitsch, Kristof Möller, Thomas Hannappel und Frank Willig — Hahn-Meitner-Institut, SE-4, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin, Germany

Für den erfolgreichen Aufbau eines abrupten Heterokontaktes kann die Kenntnis der spezifischen Form der atomaren Oberflächenterminierung bzw. -rekonstruktion schon während des Wachstums von entscheidender Bedeutung sein. In einer AIX200-Anlage wurden GaSb(100)-Schichten gewachsen und die Oberflächen in situ mit Reflexions Differenz/Anisotropie Spektroskopie (RDS/RAS) vermessen. Als Precursoren wurden Triethylantimon (TESb) und Triethylgallium (TEGa) verwendet. Der kontaminationsfreie Transfer der MOCVD präparierten Oberflächen ins Ultrahochvakuum (UHV) ermöglicht die Ermittlung von Bezugsdaten zu den in situ Signalen. Spezifische in situ RAS-Signale werden mit LEED, XPS, UPS und RAS bei 20K korreliert. Unter verschiedenen Präparationsbedingungen wie Sb-Stabilisierung und Temperzyklen im MOCVD-Reaktor wurden verschiedene Sb-reich rekonstruierte Oberflächenterminierungen gefunden. Nach dem Wachstum bei 820K wird die Probe unter Sb-Stabilisierung abgekühlt. Entscheidend für die Intensität verschiedener RAS-Peaks ist die Temperatur, bei der die Sb-Stabilisierung abgeschaltet wird. Für verschiedene Präparationen werden auch unterschiedliche He I UP Spektren diskutiert.