Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. I
HL 5.6: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 11:45–12:00, H17
Elektronische Korrelationen in der lokalen Zustandsdichte beim Einzelelektronentunneln — •J. Könemann1, P. König1, E. McCann2, V. I. Fal’ko2 und R. J. Haug1 — 1Inst. f. Festkörperphysik, Uni Hannover, Appelstr. 2, D-30167 Hannover — 2Dep. of Physics, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YB, UK
Die lokale elektronische Struktur ungeordneter Systeme äußert sich bei tiefen Temperaturen durch mesoskopische Fluktuationen im Transportverhalten. Diese zeigen sich insbesondere in der lokalen Zustandsdichte (LDOS). In unserem Experiment untersuchen wir die elektronischen Korrelationen in der LDOS mittels Einzelelektronentunneln durch lokalisierte Zustände in einer resonanten Doppelbarrierenstruktur. Die untersuchte Probe ist eine resonante Tunneldiode mit einem 10 nm dicken GaAs-Quantentopf sowie 5 und 8 nm dicken Al0.3Ga0.7As-Tunnelbarrieren und einer Ladungsträgerkonzentration in den Kontakten von 4.0· 1017 cm−3. Unsere Methode ermöglicht hiermit eine Spektroskopie der LDOS Fluktuationen[1]. Der Vergleich der Form der LDOS-Korrelationsfunktionen mit einem Skalierungsmodell nach Thouless zeigt, dass der Emitter hinsichtlich der lokalen elektronischen Struktur kein Volumenverhalten aufweist, sondern eine reduzierte effektive Dimensionalität hat[2] und quasi-nulldimensional ist. Dies wird durch wachstumsbedingte Defekte in der Grenzschicht zum Substrat erklärt. Aus den Korrelationsenergien läßt sich Quasi-Teilchen im hochdotierten Emitter ermitteln und so die Energieabhängigkeit der inelastischen Lebensdauer im Emitter bestimmen.
[1] T. Schmidt et al., Phys. Rev. Lett. 86, 201 (2001).
[2] J. Könemann et al., Phys. Rev. B 64 , 15563 (2001).