Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 8: Heterostrukturen II
HL 8.1: Vortrag
Montag, 11. März 2002, 15:30–15:45, H14
Streumechanismen an in-situ geätzten und überwachsenen Heterostrukturgrenzflächen — •S. Löhr, S. Beyer, Ch. Heyn, D. Heitmann und W. Hansen — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg, Germany
Wir stellen neuartige Heterostrukturen durch überwachsene strukturgeätzte Kristalloberflächen her. Hier werden zur Charakterisierung der Grenzflächen aus in-situ geätzten Kristalloberflächen und überwachsenen Heterostrukturen die Transporteigenschaften zweidimensionaler Elektronensysteme (2DES) an diesen Grenzflächen studiert. Hierzu werden von einer epitaktisch gewachsenen GaAs-Schicht ca. 150 nm durch einen Cl2-CGE-Prozess entfernt und anschließend mit einer modulationsdotierten Heterostrukturbarriere mittels Molekularstrahlepitaxie überwachsen. Wir finden eine stark von der Temperatur beim Ätzprozess abhängige Tieftemperaturbeweglichkeit der 2DES. Die verantwortlichen Streuprozesse werden mit Magnetotransportexperimenten erforscht. Aus Shubnikov-de Haas-Messungen bestimmen wir die klassische Transportzeit τt und die quantenmechanische Einteilchen-Relaxationszeit τs. Wir finden Verhältnisse der Streuzeiten von 5<τt / τs<40 in Abhängigkeit der verschiedenen Ätzparameter. Anhand eines Vergleichs mit theoretischen Berechnungen der Streuzeiten schließen wir, daß die Beweglichkeiten der geätzten Proben bei tiefen Temperaturen durch Grenzflächenrauhigkeits-Streuung dominiert sind. Dies wird durch rasterkraftmikroskopische Aufnahmen an geätzten Oberflächen gestützt.