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MA: Magnetismus

MA 10: Poster : Dünne Schichten(1-21),Spinabh.Transp.(22-39),Exch.Bias(40-51),Spindyn.(52-55),Mikromag.(56-66),Partikel(67-74),Abb.Verf.(75-77),Oberfl.+Spinelektr.+Elektr.Theo+Mikromag(75-87),PÜ+Aniso+Werkst/Leg.(88-103),Mol.Mag.+N-dim+Messm.+Postdead(104-111

MA 10.28: Poster

Tuesday, March 12, 2002, 15:00–19:00, Bereich A

Kontakt-Arrays aus magnetischen Tunnelelementen hergestellt durch Elektronenstrahllithographie — •Karsten Rott, Andi Thomas, Hubert Brückl und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, D-33615 Bielefeld

Ein wesentlicher Vorteil der Verwendung von magnetischen Tunnelelementen in magnetischen Speichern (MRAM) ist die höchste Integrierbarkeit.

Wir haben Arrays von je 16 magnetischen Tunnelstrukturen mit lateralen Abmessungen im Mikrometerbereich in einem Mehrschrittprozess mit Elektronenstrahllithographie an Lackmasken und Trockenätzen hergestellt. Die Schaltzellen sind zwischen sich kreuzenden Leiterbahnen (self-aligned) angeordnet und bei geeigneten Strömen durch diese Zuleitungen durch deren Magnetfelder schaltbar.

Die Tunnelelemente bestehen aus einem Py/MnIr/CoFe/Al₂O₃/Py Schichtsystem, welches bei Raumtemperatur einen TMR von bis zu 45% zeigt. Ihr Schaltverhalten wurde untersucht.