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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

Mo, 09:30–10:15 H36 O 1: Hauptvortrag
Mo, 10:15–11:00 H36 O 2: Hauptvortrag
Mo, 11:15–13:15 H36 O 3: Elektronische Struktur (I)
Mo, 11:15–13:00 H43 O 4: Oberfl
ächenreaktionen (I)
Mo, 11:15–13:00 H44 O 5: Rastersondentechniken (I)
Mo, 11:15–12:30 H45 O 6: Nanostrukturen (I)
Mo, 14:00–14:30 H36 O 7: Hauptvortrag (gemeinsam mit MA)
Mo, 14:30–15:00 H36 O 8: Hauptvortrag (gemeinsam mit MA)
Mo, 15:15–18:00 H36 O 9: Adsorption an Oberfl
ächen (I)
Mo, 15:15–18:00 H43 O 10: Zeitaufgelöste Spektroskopie
Mo, 15:15–17:45 H44 O 11: Elektronische Struktur (II)
Mo, 15:15–17:30 H45 O 12: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen
Mo, 18:00–21:00 Bereich C O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten)
Di, 09:30–10:15 H36 O 14: Hauptvortrag
Di, 10:15–11:00 H36 O 15: Hauptvortrag
Di, 11:15–13:15 H36 O 16: Elektronische Struktur (III)
Di, 11:15–13:00 H43 O 17: Oxide und Isolatoren (I)
Di, 11:15–12:45 H44 O 18: Grenzfl
äche fest-flüssig
Di, 11:15–13:00 H45 O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I)
Di, 14:30–15:15 H36 O 20: Gaedepreisvortrag
Di, 15:15–16:00 H36 O 21: Hauptvortrag
Di, 16:15–19:00 H36 O 22: Adsorption an Oberfl
ächen (II)
Di, 16:15–18:45 H43 O 23: Epitaxie und Wachstum (I)
Di, 16:15–19:00 H44 O 24: Oberfl
ächenreaktionen (II)
Di, 16:15–18:45 H45 O 25: Teilchen und Cluster
Mi, 14:30–17:30 Bereich C O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge
Do, 09:30–10:15 H36 O 27: Hauptvortrag
Do, 10:15–11:00 H36 O 28: Hauptvortrag
Do, 11:15–13:15 H43 O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III)
Do, 11:15–13:15 H44 O 30: Methodisches (Experiment und Theorie)
Do, 11:15–13:15 H45 O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II)
Do, 15:30–19:15 H43 O 32: Adsorption an Oberfl
ächen (IV)
Do, 15:30–18:30 H44 O 33: Epitaxie und Wachstum (II)
Do, 15:30–19:15 H45 O 34: Organische Dünnschichten
Do, 20:00–22:00 H43 O 35: Postdeadline-Sitzung
Fr, 10:15–11:00 H36 O 36: Hauptvortrag
Fr, 11:15–13:15 H36 O 37: Rastersondentechniken (II)
Fr, 11:15–13:15 H43 O 38: Epitaxie und Wachstum (III)
Fr, 11:15–13:15 H44 O 39: Nanostrukturen (II)
Fr, 11:15–13:15 H45 O 40: Oxide und Isolatoren (II)
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