Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 23: Epitaxie und Wachstum (I)

O 23.1: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 16:15–16:30, H43

Nanostrukturierung einer Cu(001)-Oberfläche durch Ar-Ionenbeschuß — •Peter Broekmann, Agnes Mewe, Herbert Wormeester und Bene Poelsema — MESA+ Research Institute, University of Twente, The Netherlands

Der Beschuß einer Cu(001) Oberfläche mit 800eV Ar-Ionen bei senkrechtem Einfall des Ionenstrahls führt zur Ausbildung von pyramidalen 3D-Defektstruksturen mit ausgeprägtem Facettencharakter. Facettenwinkel lassen sich dabei präzise durch energieabhängige SPALEED-Messungen bestimmen. Im Gegensatz zur Homoepitaxie auf Cu(001) zeigen die inversen Pyramiden nach Ionenbeschuß über einen weiten Temperaturbereich (180K bis 300K) eine Vorzugsorientierung von Stufenkanten, die nicht entlang der dichtgepackten {110}-Richtungen verlaufen. Schon ein kurzzeitiges Annealen der Probe über 300K führt zu einer veränderten Ausrichtung der Stufenkanten entlang der dichtgepackten {110}-Richtungen. Letzteres passiert bei höheren Temperaturen in der kurzen Zeit nach Beenden des Ionenbeschusses. Es wird gezeigt werden, daß speziell für Präparationstemperaturen über 250K die Dauer und der Verlauf des Abkühlprozesses nach Beenden des eigentlichen Ionenbeschusses entscheidenden Einfluß auf die Symmetrie ber resultierenden Defektstrukturen haben. Erklärt werden die ungewöhnlichen Symmetrien der Defekstrukturen durch bestimmte Interlagendiffusionsprozesse, die während des Ionenbeschusses nicht aber in der Homoepitaxie dominant sind.