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Regensburg 2002 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 38: Epitaxie und Wachstum (III)

Friday, March 15, 2002, 11:15–13:15, H43

11:15 O 38.1 Simulation von STM-Bildern von Stufenkanten auf As-bedecktem Si(111) — •Kurt Schroeder, Armin Antons, Ralf Berger und Stefan Blügel
11:30 O 38.2 Strukturuntersuchungen dünner Bi-Filme auf Si(111) — •Adelheid Rez, Uta Deffke, Kai Schwinge, Jens J. Paggel und Paul Fumagalli
11:45 O 38.3 Untersuchungen zum Wachstumsverhalten von MnBi auf Si(111) — •Uta Deffke, G. Ctistis, J. Paggel und P. Fumagalli
12:00 O 38.4 Wachstum ultradünner Eisensilizidfilme auf Si(111) untersucht mittels STM und LEED — •M. Krause, F. Blobner, S. Walter, L. Hammer, U. Starke und K. Heinz
12:15 O 38.5 Wachstum von ultradünnen Ag-Filmen auf wasserstoffpassivierten Si(111)-Oberflächen — •Thorsten Müller und Hermann Nienhaus
12:30 O 38.6 STM-Untersuchung des Wachstums von Fe auf InAs(001) — •Martin Kneppe, Matthias Berse und Ulrich K. Köhler
12:45 O 38.7 Surface stress and phase diagram of the wetting layer inInAs/GaAs(001) heteroepitaxy — •Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
13:00 O 38.8 MBE-Wachstum von CuInS2 auf Si, SiGe und GaAs: Eine oberflächenanalytische Untersuchung — •Calvet Wolfram, Pettenkofer Christian und Lewerenz Hans-Joachim
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