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Mo, 09:30–10:15 |
H36 |
O 1: Hauptvortrag |
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Mo, 10:15–11:00 |
H36 |
O 2: Hauptvortrag |
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Mo, 11:15–13:15 |
H36 |
O 3: Elektronische Struktur (I) |
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Mo, 11:15–13:00 |
H43 |
O 4: Oberfl
ächenreaktionen (I) |
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Mo, 11:15–13:00 |
H44 |
O 5: Rastersondentechniken (I) |
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Mo, 11:15–12:30 |
H45 |
O 6: Nanostrukturen (I) |
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Mo, 14:00–14:30 |
H36 |
O 7: Hauptvortrag (gemeinsam mit MA) |
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Mo, 14:30–15:00 |
H36 |
O 8: Hauptvortrag (gemeinsam mit MA) |
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Mo, 15:15–18:00 |
H36 |
O 9: Adsorption an Oberfl
ächen (I) |
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Mo, 15:15–18:00 |
H43 |
O 10: Zeitaufgelöste Spektroskopie |
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Mo, 15:15–17:45 |
H44 |
O 11: Elektronische Struktur (II) |
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Mo, 15:15–17:30 |
H45 |
O 12: Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen |
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Mo, 18:00–21:00 |
Bereich C |
O 13: Postersitzung (Adsorption an Oberfl
ächen, Elektronische Struktur, Magnetismus in reduzierten Dimensionen, Epitaxie und Wachstum, Halbleiteroberfl
ächen und -grenzfl
ächen, Organische Dünnschichten) |
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Di, 09:30–10:15 |
H36 |
O 14: Hauptvortrag |
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Di, 10:15–11:00 |
H36 |
O 15: Hauptvortrag |
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Di, 11:15–13:15 |
H36 |
O 16: Elektronische Struktur (III) |
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Di, 11:15–13:00 |
H43 |
O 17: Oxide und Isolatoren (I) |
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Di, 11:15–12:45 |
H44 |
O 18: Grenzfl
äche fest-flüssig |
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Di, 11:15–13:00 |
H45 |
O 19: Halbleiteroberfl
ächen (I) |
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Di, 14:30–15:15 |
H36 |
O 20: Gaedepreisvortrag |
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Di, 15:15–16:00 |
H36 |
O 21: Hauptvortrag |
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Di, 16:15–19:00 |
H36 |
O 22: Adsorption an Oberfl
ächen (II) |
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Di, 16:15–18:45 |
H43 |
O 23: Epitaxie und Wachstum (I) |
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Di, 16:15–19:00 |
H44 |
O 24: Oberfl
ächenreaktionen (II) |
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Di, 16:15–18:45 |
H45 |
O 25: Teilchen und Cluster |
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Mi, 14:30–17:30 |
Bereich C |
O 26: Postersitzung (Rastersondentechniken, Nanostrukturen, Teilchen und Cluster, Methodisches, Oxide und Isolatoren, Grenzfl
äche fest-flüssig, Struktur und Dynamik reiner Oberfl
ächen, Oberfl
ächenreaktionen, Zeitaufg. Spektroskopie, Phasenüberg
änge |
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Do, 09:30–10:15 |
H36 |
O 27: Hauptvortrag |
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Do, 10:15–11:00 |
H36 |
O 28: Hauptvortrag |
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Do, 11:15–13:15 |
H43 |
O 29: Adsorption an Oberfl
ächen (III) |
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Do, 11:15–13:15 |
H44 |
O 30: Methodisches (Experiment und Theorie) |
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Do, 11:15–13:15 |
H45 |
O 31: Halbleiteroberfl
ächen (II) |
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Do, 15:30–19:15 |
H43 |
O 32: Adsorption an Oberfl
ächen (IV) |
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Do, 15:30–18:30 |
H44 |
O 33: Epitaxie und Wachstum (II) |
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Do, 15:30–19:15 |
H45 |
O 34: Organische Dünnschichten |
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Do, 20:00–22:00 |
H43 |
O 35: Postdeadline-Sitzung |
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Fr, 10:15–11:00 |
H36 |
O 36: Hauptvortrag |
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Fr, 11:15–13:15 |
H36 |
O 37: Rastersondentechniken (II) |
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Fr, 11:15–13:15 |
H43 |
O 38: Epitaxie und Wachstum (III) |
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Fr, 11:15–13:15 |
H44 |
O 39: Nanostrukturen (II) |
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Fr, 11:15–13:15 |
H45 |
O 40: Oxide und Isolatoren (II) |
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