Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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PV: Plenarvorträge

PV I

PV I: Plenarvortrag

Montag, 11. März 2002, 08:30–09:15, H1

Elektronen, Phononen und Exzitonen an Halbleiteroberflächen — •Johannes Pollmann — Institut für Festkörpertheorie, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Str. 10, D-48149 Münster

Der Grundzustand und angeregte Zustände spielen eine zentrale Rolle bei der theoretischen Untersuchung und Charakterisierung von Halbleitern und ihren Oberflächen. Beim Studium struktureller Eigenschaften ist die totale Energie eine Schlüsselgröße zur Bestimmung der optimalen Oberflächengeometrie und bevorzugter Adsorptionsplätze. Diese lassen sich ab initio im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie sehr genau berechnen. Darauf aufbauend können heute auch elektronische, vibronische und exzitonische Anregungen sowie ihre spektralen Eigenschaften mit ab initio Methoden (GW-Näherung, Dichtefunktionalstörungstheorie, Bethe Salpeter Gleichung) zuverlässig berechnet werden. Die jüngsten Erfolge der Theorie werden beispielhaft für reine und durch Adsorbatbedeckung passivierte Oberflächen von Elementhalbleitern sowie für Oberflächen der technologisch sehr wichtigen wide-band-gap Halbleiter SiC und GaN dargestellt. Ein Vergleich der Resultate mit zahlreichen experimentellen Ergebnissen der hochauflösenden Oberflächenmikroskopie und Oberflächenspektroskopie zeigt, daß die Daten durch die theoretischen Ergebnisse gut interpretiert werden können.