Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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SYPO: Plasmaoberflächentechnik – Beschichten, Ätzen und Modifizieren

SYPO III: HV III

SYPO III.1: Hauptvortrag

Montag, 11. März 2002, 15:30–16:15, HS 32

Multischichterzeugung für die EUV-Lithographie mit Ionenstrahlen — •Thomas Chassé, Horst Neumann und Bernd Rauschenbach — Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Leipzig, Permoserstr.15, 04318 Leipzig

Unter den Lithographietechniken der nächsten Generation (NGL) wird gegenwärtig die EUV-Lithographie (EUVL) für Strukturen bis hinunter zu 30 nm eindeutig favorisiert. Die Herstellung der Lithographiemasken stellt neben der Entwicklung geeigneter Lichtquellen die größte technologische Herausforderung dar. An die reflektierenden Multischichtsysteme werden hohe Anforderungen bezüglich Reflektivität bei 13.4 nm, Homogenität, Rauigkeit, Defektfreiheit und anderer Schichtparameter gestellt. Wir berichten über die Herstellung von Mo/Si-Multilayer für EUVL-Masken mit Ionenstrahlabscheidung auf einer Dual Ion Beam Deposition-Apparatur CYBERITE. Die Schichtsysteme wurden auf Si-Wafern abgeschieden und nachfolgend umfassend mit verschiedenen Standard-Schichtmesstechniken sowie TEM, AFM, SNMS/SIMS, Cu K-Reflektivitätsmessungen unter streifendem Einfall und Reflektivitätsmessungen bei der Einsatzwellenlänge 13.4 nm charakterisiert. Die DIBD-Apparatur, die Ergebnisse der Schichtcharakterisierung sowie weitere Experimente mit den Multilayern werden vorgestellt.